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CY7C1370D-200BZI

CY7C1370D-200BZI

僅供參考

型號 CY7C1370D-200BZI
PNEDA編號 CY7C1370D-200BZI
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 121
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1370D-200BZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1370D-200BZI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1370D-200BZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列NoBL™
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3ns
電壓-供電3.135V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-TSOP

CB021-80075

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-TSOP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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