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CY7C1380S-167BZC

CY7C1380S-167BZC

僅供參考

型號 CY7C1380S-167BZC
PNEDA編號 CY7C1380S-167BZC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $310.9341
50 ---------- $296.3591
100 ---------- $281.7841
200 ---------- $267.2090
400 ---------- $255.0632
500 ---------- $242.9173
庫存 622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1380S-167BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1380S-167BZC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1380S-167BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.4ns
電壓-供電3.135V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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Cypress Semiconductor Corp

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內存格式

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技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

NAND512R3A2CZA6E

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50ns

訪問時間

50ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-TFBGA

供應商設備包裝

63-VFBGA (9x11)

DS1245ABP-100

Maxim Integrated

制造商

Maxim Integrated

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

34-PowerCap™ Module

供應商設備包裝

34-PowerCap Module

7005L20JGI

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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