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CY7C1413KV18-250BZXI

CY7C1413KV18-250BZXI

僅供參考

型號 CY7C1413KV18-250BZXI
PNEDA編號 CY7C1413KV18-250BZXI
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1413KV18-250BZXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1413KV18-250BZXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1413KV18-250BZXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小36Mb (2M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (1G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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