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CY7C1423JV18-267BZXC

CY7C1423JV18-267BZXC

僅供參考

型號 CY7C1423JV18-267BZXC
PNEDA編號 CY7C1423JV18-267BZXC
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $657.8634
50 ---------- $627.0261
100 ---------- $596.1887
200 ---------- $565.3514
400 ---------- $539.6536
500 ---------- $513.9558
庫存 58
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1423JV18-267BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1423JV18-267BZXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1423JV18-267BZXC, CY7C1423JV18-267BZXC數據表 (總頁數: 27, 大小: 838.02 KB)
PDFCY7C1423JV18-267BZXCT數據表 封面
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CY7C1423JV18-267BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II
內存大小36Mb (2M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率267MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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系列

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內存類型

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內存格式

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EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

3.4MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

Automotive, AEC-Q100, FL-L

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-WFBGA

供應商設備包裝

48-WFBGA (6x4)

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-SOJ

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