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CY7C1512V18-200BZXC

CY7C1512V18-200BZXC

僅供參考

型號 CY7C1512V18-200BZXC
PNEDA編號 CY7C1512V18-200BZXC
描述 IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1512V18-200BZXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1512V18-200BZXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CY7C1512V18-200BZXC, CY7C1512V18-200BZXC數據表 (總頁數: 29, 大小: 669.72 KB)
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CY7C1512V18-200BZXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小72Mb (4M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

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5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (256M x 16)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, MoBL

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

40ns

訪問時間

40ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-VFBGA

供應商設備包裝

100-VFBGA (6x6)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

32Gb (512M x 64)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TA)

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