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CY7C1614KV18-333BZC

CY7C1614KV18-333BZC

僅供參考

型號 CY7C1614KV18-333BZC
PNEDA編號 CY7C1614KV18-333BZC
描述 IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1614KV18-333BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1614KV18-333BZC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1614KV18-333BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小144Mb (4M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

100µs, 10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

M36W0R6050T4ZAQF TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

CY7C1370SV25-167AXCT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

IS61NVP25672-200B1

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (256K x 72)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

209-BGA

供應商設備包裝

209-LFBGA (14x22)

AS7C513B-12TCNTR

Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP2

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