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CY7C1911KV18-333BZC

CY7C1911KV18-333BZC

僅供參考

型號 CY7C1911KV18-333BZC
PNEDA編號 CY7C1911KV18-333BZC
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1911KV18-333BZC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1911KV18-333BZC
類別半導體內存IC內存

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CY7C1911KV18-333BZC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小18Mb (2M x 9)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

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制造商

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

20ns

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2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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