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CY7C2670KV18-550BZI

CY7C2670KV18-550BZI

僅供參考

型號 CY7C2670KV18-550BZI
PNEDA編號 CY7C2670KV18-550BZI
描述 IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $5,261.8484
50 ---------- $5,015.1993
100 ---------- $4,768.5502
200 ---------- $4,521.9010
400 ---------- $4,316.3601
500 ---------- $4,110.8191
庫存 4,919
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C2670KV18-550BZI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C2670KV18-550BZI
類別半導體內存IC內存

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CY7C2670KV18-550BZI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, DDR II+
內存大小144Mb (4M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率550MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-FBGA (15x17)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

1Gb (256M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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256-BGA (27x27)

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Fremont Micro Devices Ltd

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-DIP

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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