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CYD09S36V18-200BBXC

CYD09S36V18-200BBXC

僅供參考

型號 CYD09S36V18-200BBXC
PNEDA編號 CYD09S36V18-200BBXC
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CYD09S36V18-200BBXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CYD09S36V18-200BBXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CYD09S36V18-200BBXC, CYD09S36V18-200BBXC數據表 (總頁數: 53, 大小: 1,276.17 KB)
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CYD09S36V18-200BBXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.3ns
電壓-供電1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-FBGA (17x17)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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訪問時間

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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