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CYD09S36V18-200BBXI

CYD09S36V18-200BBXI

僅供參考

型號 CYD09S36V18-200BBXI
PNEDA編號 CYD09S36V18-200BBXI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CYD09S36V18-200BBXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CYD09S36V18-200BBXI
類別半導體內存IC內存

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CYD09S36V18-200BBXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.3ns
電壓-供電1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-FBGA (17x17)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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時鐘頻率

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工作溫度

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