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CYD09S72V18-167BBXC

CYD09S72V18-167BBXC

僅供參考

型號 CYD09S72V18-167BBXC
PNEDA編號 CYD09S72V18-167BBXC
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價
1 ---------- $3,017.4856
50 ---------- $2,876.0409
100 ---------- $2,734.5963
200 ---------- $2,593.1517
400 ---------- $2,475.2811
500 ---------- $2,357.4106
庫存 526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CYD09S72V18-167BBXC資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CYD09S72V18-167BBXC
類別半導體內存IC內存
數據表
CYD09S72V18-167BBXC, CYD09S72V18-167BBXC數據表 (總頁數: 52, 大小: 1,380.77 KB)
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CYD09S72V18-167BBXC規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (128K x 72)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4ns
電壓-供電1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-FBGA (17x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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