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CZT5401E TR

CZT5401E TR

僅供參考

型號 CZT5401E TR
PNEDA編號 CZT5401E-TR
描述 TRANS PNP
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CZT5401E TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CZT5401E TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CZT5401E TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)220V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡300MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 250mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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