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D650S12TXPSA1

D650S12TXPSA1

僅供參考

型號 D650S12TXPSA1
PNEDA編號 D650S12TXPSA1
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 620A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

D650S12TXPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號D650S12TXPSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
D650S12TXPSA1, D650S12TXPSA1數據表 (總頁數: 6, 大小: 145.57 KB)
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D650S12TXPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)620A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.25V @ 1200A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5.3µs
當前-反向泄漏@ Vr20mA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱DO-200AB, B-PUK
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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150V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

18ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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