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D850N30TXPSA1

D850N30TXPSA1

僅供參考

型號 D850N30TXPSA1
PNEDA編號 D850N30TXPSA1
描述 DIODE GEN PURP 3KV 850A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

D850N30TXPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號D850N30TXPSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
D850N30TXPSA1, D850N30TXPSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 230.91 KB)
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D850N30TXPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)3000V
電流-平均整流(Io)850A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.28V @ 850A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50mA @ 3000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱DO-200AB, B-PUK
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-40°C ~ 160°C

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200V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.3µs

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.75V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.6V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 600V

電容@ Vr,F

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