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DCX115EU-7-F

DCX115EU-7-F

僅供參考

型號 DCX115EU-7-F
PNEDA編號 DCX115EU-7-F
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DCX115EU-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DCX115EU-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
DCX115EU-7-F, DCX115EU-7-F數據表 (總頁數: 13, 大小: 755.01 KB)
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DCX115EU-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100kOhms
電阻-發射極基(R2)100kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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