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DDA122LH-7

DDA122LH-7

僅供參考

型號 DDA122LH-7
PNEDA編號 DDA122LH-7
描述 TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDA122LH-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDA122LH-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
DDA122LH-7, DDA122LH-7數據表 (總頁數: 4, 大小: 272.82 KB)
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DDA122LH-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)220Ohms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce56 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡200MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

100mW

安裝類型

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包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

820 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 50mA, 2.5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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