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DDB6U85N16LHOSA1

DDB6U85N16LHOSA1

僅供參考

型號 DDB6U85N16LHOSA1
PNEDA編號 DDB6U85N16LHOSA1
描述 DIODE MOD GP 1600V 60A AGISOPACK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDB6U85N16LHOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDB6U85N16LHOSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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DDB6U85N16LHOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管配置3 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)60A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.44V @ 100A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 1600V
工作溫度-結點150°C (Max)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝AG-ISOPACK-1

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

工作溫度-結點

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 70V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

80A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 80V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

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