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DDTA114EUA-7

DDTA114EUA-7

僅供參考

型號 DDTA114EUA-7
PNEDA編號 DDTA114EUA-7
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 8 - 三月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDTA114EUA-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDTA114EUA-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DDTA114EUA-7, DDTA114EUA-7數據表 (總頁數: 4, 大小: 126.27 KB)
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DDTA114EUA-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SOT-323

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

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22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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