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DDTA115EUA-7-F

DDTA115EUA-7-F

僅供參考

型號 DDTA115EUA-7-F
PNEDA編號 DDTA115EUA-7-F
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDTA115EUA-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDTA115EUA-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DDTA115EUA-7-F, DDTA115EUA-7-F數據表 (總頁數: 4, 大小: 126.27 KB)
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DDTA115EUA-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100 kOhms
電阻-發射極基(R2)100 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce82 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SOT-323

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

100mW

安裝類型

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包裝/箱

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

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