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DDTD114TU-7-F

DDTD114TU-7-F

僅供參考

型號 DDTD114TU-7-F
PNEDA編號 DDTD114TU-7-F
描述 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DDTD114TU-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DDTD114TU-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DDTD114TU-7-F, DDTD114TU-7-F數據表 (總頁數: 3, 大小: 109.71 KB)
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DDTD114TU-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SOT-323

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

100MHz

功率-最大

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

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