DF200R12W1H3B27BOMA1
僅供參考
| 型號 | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| PNEDA編號 | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| 描述 | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,812 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸) |
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DF200R12W1H3B27BOMA1資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-模塊 |
| 數據表 |
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DF200R12W1H3B27BOMA1規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | - |
| 配置 | 2 Independent |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 1200V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 30A |
| 功率-最大 | 375W |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| 當前-集電極截止（最大值） | 1mA |
| 輸入電容（Cies）@ Vce | 2nF @ 25V |
| 輸入 | Standard |
| NTC熱敏電阻 | Yes |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | Module |
| 供應商設備包裝 | Module |
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