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DF200R12W1H3FB11BOMA1

DF200R12W1H3FB11BOMA1

僅供參考

型號 DF200R12W1H3FB11BOMA1
PNEDA編號 DF200R12W1H3FB11BOMA1
描述 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF200R12W1H3FB11BOMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF200R12W1H3FB11BOMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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DF200R12W1H3FB11BOMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列EasyPACK™
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
功率-最大20mW
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.45V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.15nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

14nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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功率-最大

192W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

40µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.85nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1850W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

30nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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