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DF200R12W1H3FB11BPSA1

DF200R12W1H3FB11BPSA1

僅供參考

型號 DF200R12W1H3FB11BPSA1
PNEDA編號 DF200R12W1H3FB11BPSA1
描述 MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF200R12W1H3FB11BPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF200R12W1H3FB11BPSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
DF200R12W1H3FB11BPSA1, DF200R12W1H3FB11BPSA1數據表 (總頁數: 11, 大小: 850.1 KB)
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DF200R12W1H3FB11BPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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IGBT類型

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配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

416W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 90A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

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IGBT類型

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配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

功率-最大

197W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1550pF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

700A

功率-最大

2300W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

49nF @ 25V

輸入

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

900µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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