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DF2140BVTE10V

DF2140BVTE10V

僅供參考

型號 DF2140BVTE10V
PNEDA編號 DF2140BVTE10V
描述 IC MCU 16BIT 64KB FLASH 100TQFP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF2140BVTE10V資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF2140BVTE10V
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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DF2140BVTE10V規格

制造商Renesas Electronics America
系列H8® H8S/2100
核心處理器H8S/2000
核心大小16-Bit
速度10MHz
連接性Host Interface (LPC), I²C, IrDA, SCI, X-Bus
外圍設備PWM, WDT
I / O數量74
程序存儲器大小64KB (64K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小4K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 8x10b; D/A 2x8b
振蕩器類型Internal
工作溫度-20°C ~ 75°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-TQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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核心大小

16-Bit

速度

16MHz

連接性

UART/USART

外圍設備

POR, WDT

I / O數量

34

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x8/10b

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

系列

-

核心處理器

-

核心大小

-

速度

-

連接性

-

外圍設備

-

I / O數量

-

程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

-

EEPROM大小

-

RAM大小

-

電壓-電源(Vcc / Vdd)

-

數據轉換器

-

振蕩器類型

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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連接性

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外圍設備

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

78

程序存儲器大小

2.5MB (2.5M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

64K x 8

RAM大小

512K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 3.6V

數據轉換器

A/D 8x12b, 14x12b; D/A 1x12

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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系列

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核心處理器

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核心大小

8-Bit

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連接性

UART/USART

外圍設備

Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

16

程序存儲器大小

8KB (4K x 16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

256 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

4.2V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 7x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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I / O數量

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程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

-

EEPROM大小

-

RAM大小

-

電壓-電源(Vcc / Vdd)

-

數據轉換器

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振蕩器類型

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工作溫度

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