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DF2326VTE25V

DF2326VTE25V

僅供參考

型號 DF2326VTE25V
PNEDA編號 DF2326VTE25V
描述 IC MCU 16BIT 512KB FLASH 120TQFP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF2326VTE25V資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF2326VTE25V
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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DF2326VTE25V規格

制造商Renesas Electronics America
系列H8® H8S/2300
核心處理器H8S/2000
核心大小16-Bit
速度25MHz
連接性SCI, SmartCard
外圍設備DMA, POR, PWM, WDT
I / O數量86
程序存儲器大小512KB (512K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小8K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)2.7V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 8x10b; D/A 2x8b
振蕩器類型Internal
工作溫度-20°C ~ 75°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱120-TQFP
供應商設備包裝120-TQFP (14x14)

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程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

256 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.3V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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核心處理器

-

核心大小

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連接性

I²C, IrDA, SCI, SPI, UART/USART

外圍設備

Brown-out Detect/Reset, PWM, WDT

I / O數量

16

程序存儲器大小

16KB (16K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.2V ~ 3.6V

數據轉換器

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振蕩器類型

External

工作溫度

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外圍設備

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I / O數量

20

程序存儲器大小

12KB (4K x 24)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

1K x 8

RAM大小

512 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 6x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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核心大小

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速度

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連接性

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外圍設備

DMA, LVD, POR, PWM, WDT

I / O數量

28

程序存儲器大小

192KB (192K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

16K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.6V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 9x8/10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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47

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