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DF80R12W2H3_B11

DF80R12W2H3_B11

僅供參考

型號 DF80R12W2H3_B11
PNEDA編號 DF80R12W2H3_B11
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 160A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF80R12W2H3_B11資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF80R12W2H3_B11
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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DF80R12W2H3_B11規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

8mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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D4

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

357W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5345nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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IGBT類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

功率-最大

205W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

95pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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Module

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Infineon Technologies

制造商

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1400A

功率-最大

7700W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 1400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

82nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

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