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DGD2003S8-13

DGD2003S8-13

僅供參考

型號 DGD2003S8-13
PNEDA編號 DGD2003S8-13
描述 IC GATE HV DRVR SO-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 25,278
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 11 - 二月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DGD2003S8-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DGD2003S8-13
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
DGD2003S8-13, DGD2003S8-13數據表 (總頁數: 11, 大小: 791.31 KB)
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DGD2003S8-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)290mA, 600mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)200V
上升/下降時間(典型值)70ns, 35ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO Type TH

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頻道類型

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 15.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

4.7V, 9.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

180mA, 260mA

輸入類型

RC Input Circuit

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

120ns, 50ns

工作溫度

-25°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

14-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

14-DIP

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制造商

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

11.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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頻道類型

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驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 16ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

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14V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

100ns, 80ns

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

8V ~ 17V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.4V, 5.8V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

120V

上升/下降時間(典型值)

7.2ns, 5.5ns

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