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DGD2103AS8-13

DGD2103AS8-13

僅供參考

型號 DGD2103AS8-13
PNEDA編號 DGD2103AS8-13
描述 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DGD2103AS8-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DGD2103AS8-13
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
DGD2103AS8-13, DGD2103AS8-13數據表 (總頁數: 11, 大小: 881.73 KB)
PDFDGD2103AS8-13數據表 封面
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DGD2103AS8-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)290mA, 600mA
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)100ns, 50ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.5V, 3.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

8A, 48A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

465ns, 460ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

3.7V, 7.93V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

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-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

6.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

4.5V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 15ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

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電壓-供電

10V ~ 15.4V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

180mA, 260mA

輸入類型

RC Input Circuit

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

120ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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