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DMG1016V-7

DMG1016V-7

僅供參考

型號 DMG1016V-7
PNEDA編號 DMG1016V-7
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT563
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 1,153,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 20 - 二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG1016V-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG1016V-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMG1016V-7, DMG1016V-7數據表 (總頁數: 8, 大小: 200.23 KB)
PDFDMG1016V-7數據表 封面
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DMG1016V-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)870mA, 640mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.74nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60.67pF @ 16V
功率-最大530mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 6V

功率-最大

6.5W, 5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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