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DMG302PU-13

DMG302PU-13

僅供參考

型號 DMG302PU-13
PNEDA編號 DMG302PU-13
描述 MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG302PU-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG302PU-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMG302PU-13, DMG302PU-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 284.38 KB)
PDFDMG302PU-7數據表 封面
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DMG302PU-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)170mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.35nC @ 4.5V
Vgs(最大)8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds27.2pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)320mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

234nC @ 10V

Vgs(最大)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

234nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

625pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 38W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

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