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DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

僅供參考

型號 DMG3414UQ-13
PNEDA編號 DMG3414UQ-13
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG3414UQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG3414UQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMG3414UQ-13, DMG3414UQ-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 188.56 KB)
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DMG3414UQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds829.9pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)780mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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