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DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

僅供參考

型號 DMG4800LSD-13
PNEDA編號 DMG4800LSD-13
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 712,260
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG4800LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG4800LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMG4800LSD-13, DMG4800LSD-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 243.97 KB)
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DMG4800LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.56nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds798pF @ 10V
功率-最大1.17W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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140mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 25V

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