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DMG964H30R

DMG964H30R

僅供參考

型號 DMG964H30R
PNEDA編號 DMG964H30R
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
制造商 Panasonic Electronic Components
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG964H30R資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG964H30R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
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DMG964H30R規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms, 1kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms, 10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大125mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SSMini6-F3-B

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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制造商

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms, 4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA, 1µA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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1µA

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