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DMG9933USD-13

DMG9933USD-13

僅供參考

型號 DMG9933USD-13
PNEDA編號 DMG9933USD-13
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG9933USD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG9933USD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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DMG9933USD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds608.4pF @ 6V
功率-最大1.15W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.76nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.9nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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