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DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13

僅供參考

型號 DMHC3025LSD-13
PNEDA編號 DMHC3025LSD-13
描述 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 150,162
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMHC3025LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMHC3025LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMHC3025LSD-13, DMHC3025LSD-13數據表 (總頁數: 9, 大小: 524.59 KB)
PDFDMHC3025LSD-13數據表 封面
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DMHC3025LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A, 4.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds590pF @ 15V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 15V

功率-最大

3W

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