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DMN1003UCA6-7

DMN1003UCA6-7

僅供參考

型號 DMN1003UCA6-7
PNEDA編號 DMN1003UCA6-7
描述 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN1003UCA6-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN1003UCA6-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN1003UCA6-7, DMN1003UCA6-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 488.61 KB)
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DMN1003UCA6-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3315pF @ 6V
功率-最大2.67W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, No Lead
供應商設備包裝X3-DSN3518-6

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 98µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2546pF @ 25V

功率-最大

3.5W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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