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DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

僅供參考

型號 DMN1019USN-13
PNEDA編號 DMN1019USN-13
描述 MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 238,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN1019USN-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN1019USN-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMN1019USN-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 2.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50.6nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2426pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)680mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-59
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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35A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5120pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2135pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

235W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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