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DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

僅供參考

型號 DMN10H099SFG-7
PNEDA編號 DMN10H099SFG-7
描述 MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN10H099SFG-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN10H099SFG-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN10H099SFG-7, DMN10H099SFG-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 259.47 KB)
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DMN10H099SFG-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1172pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)980mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1172pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

700mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

275mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

850nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

62.5pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

3-UFDFN

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Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

265pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2455pF @ 15V

FET功能

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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