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DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

僅供參考

型號 DMN2022UNS-7
PNEDA編號 DMN2022UNS-7
描述 MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2022UNS-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2022UNS-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN2022UNS-7, DMN2022UNS-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 346.79 KB)
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DMN2022UNS-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.7A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1870pF @ 10V
功率-最大1.2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 25V

功率-最大

390W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

752pF @ 15V

功率-最大

3.57W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.9W (Ta), 7.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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