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DMN2025UFDB-13

DMN2025UFDB-13

僅供參考

型號 DMN2025UFDB-13
PNEDA編號 DMN2025UFDB-13
描述 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2025UFDB-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2025UFDB-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMN2025UFDB-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.3nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds486pF @ 10V
功率-最大700mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

-

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2260pF @ 25V

功率-最大

50W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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