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DMN2040LSD-13

DMN2040LSD-13

僅供參考

型號 DMN2040LSD-13
PNEDA編號 DMN2040LSD-13
描述 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2040LSD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2040LSD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN2040LSD-13, DMN2040LSD-13數據表 (總頁數: 4, 大小: 153.28 KB)
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DMN2040LSD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds562pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 20V

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

396mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

510mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 25V

功率-最大

700mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

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