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DMN2040UVT-7

DMN2040UVT-7

僅供參考

型號 DMN2040UVT-7
PNEDA編號 DMN2040UVT-7
描述 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2040UVT-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2040UVT-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DMN2040UVT-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds667pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSOT-26
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

625nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2450pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta), 34W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

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170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

280W (Tc)

工作溫度

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