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DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

僅供參考

型號 DMN26D0UDJ-7
PNEDA編號 DMN26D0UDJ-7
描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 93,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN26D0UDJ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN26D0UDJ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN26D0UDJ-7, DMN26D0UDJ-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 325.57 KB)
PDFDMN26D0UDJ-7數據表 封面
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DMN26D0UDJ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)240mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.05V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14.1pF @ 15V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-963
供應商設備包裝SOT-963

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

604pF @ 20V

功率-最大

1.8W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 6V

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.76nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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