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DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

僅供參考

型號 DMN3009SFGQ-13
PNEDA編號 DMN3009SFGQ-13
描述 MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3009SFGQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3009SFGQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3009SFGQ-13, DMN3009SFGQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 547.45 KB)
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DMN3009SFGQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2000pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)900mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

485pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

211nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13800pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

53A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 26.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4120pF @ 25V

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功耗(最大值)

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