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DMN3012LDG-13

DMN3012LDG-13

僅供參考

型號 DMN3012LDG-13
PNEDA編號 DMN3012LDG-13
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3012LDG-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3012LDG-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMN3012LDG-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
功率-最大2.2W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerLDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8 (Type D)

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25Ohm

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-20°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 15V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

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