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DMN3013LDG-7

DMN3013LDG-7

僅供參考

型號 DMN3013LDG-7
PNEDA編號 DMN3013LDG-7
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3013LDG-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3013LDG-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3013LDG-7, DMN3013LDG-7數據表 (總頁數: 10, 大小: 658.03 KB)
PDFDMN3013LDG-7數據表 封面
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DMN3013LDG-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 15V
功率-最大2.16W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerLDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8 (Type D)

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1500A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 1200A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2480nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A, 40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 15V

功率-最大

5W, 4.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

184pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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