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DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

僅供參考

型號 DMN3016LFDF-13
PNEDA編號 DMN3016LFDF-13
描述 MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3016LFDF-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3016LFDF-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3016LFDF-13, DMN3016LFDF-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 521.04 KB)
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DMN3016LFDF-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1415pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.02W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4010pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

630mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

465pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

54W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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