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DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

僅供參考

型號 DMN3021LFDF-7
PNEDA編號 DMN3021LFDF-7
描述 MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3021LFDF-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3021LFDF-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3021LFDF-7, DMN3021LFDF-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 599.19 KB)
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DMN3021LFDF-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds706pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.03W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 240mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

1.4W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 15V

FET功能

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