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DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13

僅供參考

型號 DMN3025LFDF-13
PNEDA編號 DMN3025LFDF-13
描述 MOSFET N-CH 30V 9.9A UDFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3025LFDF-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3025LFDF-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3025LFDF-13, DMN3025LFDF-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 347.9 KB)
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DMN3025LFDF-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds641pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 250W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2055pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

218W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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-

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880mW (Ta), 47.2W (Tc)

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