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DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

僅供參考

型號 DMN3026LVT-7
PNEDA編號 DMN3026LVT-7
描述 MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 52,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3026LVT-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3026LVT-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3026LVT-7, DMN3026LVT-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 295.4 KB)
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DMN3026LVT-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds643pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSOT-26
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 300V

FET功能

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功耗(最大值)

270W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.83W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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